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可控硅并联阻容吸收器选型与计算

下载名称: 可控硅并联阻容吸收器选型与计算
提交者: admin
提交日期: 2013-04-22 11:42:07
浏览量: 3199
总下载量: 347
软件作者: pulom 
演示网址: www.pulom.com 
文件大小: 0.155 M
软件地址: 可控硅并联阻容吸收电路的选型与计算  
下载介绍: 晶闸管处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2 结结面相当于一个电容C0。当晶闸
管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0,并通过J3 结,这个电流起了门极触发电
流作用。如果晶闸管在关断时,阳极电压上升速度太快,则C0 的充电电流越大,就有可能
造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管误导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。
因此,对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
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